SemiAnalysis：2.5D 封装迈向 3.5D，良率成关键

AI 导读

SemiAnalysis 指出，随着 interposer 和 substrate 接近缩放极限，2.5D 封装正迈向 3.5D，通过更紧密的 D2D pitch、更高带宽密度和更低每 bit 能耗来突破 reticle 对横向扩展的限制。

正文 · AI 翻译

随着中介层和基板逐渐逼近其微缩极限，2.5D 封装正向 3.5D 演进，通过更紧密的 D2D 间距、更高的带宽密度和更低的每比特能耗，来突破光罩尺寸对横向微缩的限制。

集成密度越高，良率对经济效益的影响就越关键。最终良率是各工艺步骤良率的乘积，因此任何阶段的损失都会直接影响整体良率。

更多的 HBM 堆叠、小芯片、基板和键合界面增加了集成的复杂性，而有些缺陷直到工艺流程后期才会被发现。这收紧了整个集成流程的工艺控制要求，也提升了先进检测的重要性。