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rohanpaul_ai· @rohanpaul_ai · X·· 3 天前AI 评分51

Micron 下一代 G11 内存芯片容量约为 G9 两倍,量产拟于 2027 年下半年开始

AI 导读

Micron 下一代内存芯片 G11 在同等硅片面积上可容纳约为当前 G9 两倍的数据,传输速度最高提升 1.5x,每比特传输能耗降低超过 25%。G11 跳过 G10 命名,将存储单元堆叠层数从 G9 的 276 层提高到 400 层以上,并采用更紧密的单元布局。

正文 · AI 翻译

美光下一代存储芯片 G11,在同样面积的硅片上可容纳的数据量约为当前 G9 的两倍。扩大 SSD 容量的主要途径正是如此,而如今 AI 数据中心正大量采购这类产品。

G9 的存储单元堆叠有 276 层。美光跳过了 G10 这一名称,重新设计了下一代芯片以面向 AI,并将其命名为 G11:它堆叠超过 400 层,每个单元的排列也更紧凑,因此同样尺寸的芯片可容纳约两倍的数据,数据传输速度最高提升至 1.5 倍,移动每个比特所消耗的能量减少超过 25%。

量产将于 2027 年下半年开始,因此搭载 G11 的硬盘要到更晚才会上市。美光也尚未说明每吉字节的成本会降低多少,因为更高的堆叠层数和第二片键合晶圆也会增加成本。

来源:rohanpaul_ai · x.com