美光G11内存规划曝光
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AI 综述
2026年10月24日，X平台用户Rohan Paul发布消息称，美光下一代G11内存芯片在同等硅片面积上可容纳约为当前G9两倍的数据，传输速度最高提升1.5倍，每比特传输能耗降低超过25%。报道提到，G11跳过了G10命名，存储单元堆叠层数将从G9的276层提高到400层以上，并采用更紧密的单元布局；量产拟于2027年下半年开始。
报道时间线
10月24日
- Micron 下一代 G11 内存芯片容量约为 G9 两倍，量产拟于 2027 年下半年开始
Micron 下一代内存芯片 G11 在同等硅片面积上可容纳约为当前 G9 两倍的数据，传输速度最高提升 1.5x，每比特传输能耗降低超过 25%。G11 跳过 G10 命名，将存储单元堆叠层数从 G9 的 276 层提高到 400 层以上，并采用更紧密的单元布局。
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